次世代 ＨＢＭ４ パッケージング技術確立
2025年3月21日
ＴＯＷＡ株式会社は、生成AI用のHBM半導体などの先端半導体パッケージングの製造に活用が期待出来る、新たなパッケージング技術を確立いたしましたのでお知らせいたします。
１．技術について
（１）概要
AI時代を支える半導体の高性能化が急速に進む一方で、半導体製造プロセスにおけるコストや生産性、品質の課題が浮上し、さらなる高性能化の妨げになっています。そのため、半導体パッケージング工程の技術に注目が集まっており、とりわけ先端半導体分野においては、新たな半導体パッケージング技術による課題解決が求められています。
近年、生成AI向けの半導体モールディング工程では、パッケージ厚みの制約や熱問題から非常に狭小なギャップ（隙間）に樹脂を充填させる技術が求められており、ＴＯＷＡは独自のコンプレッション技術で様々な顧客の課題を解決してきましたが、今回、さらに技術を進化させた新たなパッケージング技術を確立いたしました。
本技術（Ultra narrow gap Mold Underfill） は、次世代 HBM4の狭ギャップに対応可能であり、複数のチップを縦方向に積み上げる半導体パッケージのモールディングに最適です。当該技術を用いることで、従来よりも半導体チップを多段に積み上げることや、半導体パッケージング製造における品質や生産性の改善が期待出来ます。
（２）技術の名称：Ultra narrow gap Mold Underfill
（３）技術カテゴリー：コンプレッション技術
（４）本技術を適用予定の製品：CPMシリーズ
２．今後の展開
現在、評価検証および本技術を適用した新たな装置を開発中で、8月から販売を開始します。主に生成AI用の次世代HBM4半導体向けに活用される見込みです。
以上
